[发明专利]基板的处理装置有效
申请号: | 200710136983.1 | 申请日: | 2007-07-26 |
公开(公告)号: | CN101114575A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 今冈裕一;西部幸伸 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67;G03F7/26;G03F7/30;G02F1/13;G02F1/1333 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种处理装置,能够将不含气泡的处理液供给到基板上。本发明处理装置,利用由处理液供给装置供给的处理液来处理被搬运的基板的上表面,其特征在于,处理液供给装置(31)具备:主贮液部(32),连接了供给处理液的给液管(33);流出孔(36),设置在主贮液部的下端,使由给液管供给到主贮液部并贮存的处理液流出;辅助贮液部(38),贮留从流出孔流出的处理液;狭缝(44),设置在辅助贮液部上,将从流出孔流出到辅助贮液部的处理液供给到基板的上表面;第1空气抽取管(45),连通到大气地设置在辅助贮液部,使从流出孔与处理液一起流出的气泡释放到大气。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板的处理装置,利用由处理液供给构件供给的处理液来处理被搬运的基板的上表面,其特征在于,上述处理液供给构件具备:主贮液部,连接了供给上述处理液的给液管;第1流出部,设置在该主贮液部的下端,使由上述给液管供给到主贮液部并贮存的处理液流出;辅助贮液部,贮留从该第1流出部流出的处理液;第2流出部,设置在该辅助贮液部,将从上述第1流出部流出到上述辅助贮液部的处理液供给到上述基板的上表面;以及第1释放部,与大气连通设置在上述辅助贮液部,使从上述第1流出部与处理液一起流出的气泡释放到大气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造