[发明专利]异常检测电路无效
| 申请号： | 200710137102.8 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101110569A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 大木崇 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/00 | 分类号： | H03F1/00;H03F3/217 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;蒲迈文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种异常检测电路，尽快地检测到电源电压的下降。异常检测电路(10)监视电源电压(Vcc)，当电源电压(Vcc)下降时输出预定电平的异常检测信号(Sabn)。作为P沟道MOSFET的检测晶体管(M10)的源极与被施加了监视对象的电源电压(Vcc)的电源线(Lvcc)相连。作为阻抗元件的检测电阻(R10)设置在检测晶体管(M10)的漏极与接地端子(GND)之间。电容器(C10)设置在检测晶体管(M10)的栅极与接地端子(GND)之间。充电路径(12)设置在检测晶体管(M10)的栅极与电源线(Lvcc)之间。异常检测电路(10)将检测晶体管(M10)的漏极电压作为异常检测信号(Sabn)输出。 | ||
| 搜索关键词： | 异常 检测 电路 | ||
【主权项】：
1.一种监视电源电压，当上述电源电压下降时输出预定电平的异常检测信号的异常检测电路，其特征在于，包括：源极与被施加了监视对象的电源电压的电源线相连接的P沟道MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：半导体场效应晶体管)；设置在上述P沟道MOSFET的漏极与固定电压端子之间的阻抗元件；设置在上述P沟道MOSFET的栅极与固定电压端子之间的电容器；以及设置在上述P沟道MOSFET的栅极与上述电源线之间的充电路径；其中，将上述P沟道MOSFET的漏极电压作为上述异常检测信号进行输出。
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