[发明专利]在半导体制造工艺中测试晶圆及找出产生缺陷原因的方法

摘要

在半导体制造工艺中测试晶圆以及找出产生缺陷原因的方法。一种在晶圆上形成当前最上层之后测试晶圆的方法。在形成当前最上层后收集晶圆的由多个晶圆曲率变化量推导得出应力数据。应力数据包括：晶圆上有限区域集合中各区域的x方向应力与y方向应力，上述应力是由各区域的x方向及y方向晶圆曲率变化量推导得出；以及由xy平面晶圆曲率变化量推出的xy平面剪切应力，其中xy平面晶圆曲率变化量为有限区域集合中各区域的晶圆扭转变化量。计算并使用应力梯度向量(及其基准)评估一个或多个目前层。本发明能指出有问题的步骤或程序，实现测试方法的完全自动化。

主权项

1. 一种在半导体制造工艺中测试晶圆的方法，包括以下步骤：在装置结构中形成当前最上层，以在上述晶圆上形成集成电路晶片；在形成上述当前最上层之后，收集晶圆的应力数据，上述应力数据是由多个晶圆曲率变化量推出的；计算有限区域集合中每一区域的应力梯度向量，其中上述有限区域集合包括多个有限区域；计算上述有限区域集合中每一区域的每一应力梯度向量的基准；以及找出具有上述应力梯度向量基准大于预定高应力梯度向量基准阈值的上述有限区域。