[发明专利]制作半导体结构的方法与制作半导体结构的系统有效
| 申请号： | 200710137622.9 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101154578A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 左佳聪;岑翰儒;法玉祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种用以制作半导体结构的方法与系统，其中此种半导体结构的基材上至少覆盖有一材料层。此材料层的至少一部分为至少一第一前驱物所蚀刻，因此需定义出至少一材料图样。依附于此材料图样上的电荷会随着至少一放电气体被移除。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体 结构 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体结构的方法，其特征在于该方法包含以下步骤：形成至少一材料层于一基材上；蚀刻该材料层的至少一部分以定义出至少一材料图样，其中是利用至少一第一前驱物蚀刻该材料层；以及移除该材料图样的多个电荷，其中是利用至少一放电气体移除上述电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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