[发明专利]具有集成热沉的集成电路装置

摘要

具有集成热沉的集成电路装置。描述了一种以晶片级在集成电路装置的背面形成集成热沉的方法。在晶片的背面淀积第一金属层。在该第一金属层上淀积第二金属层。可选地，在该第二金属层上淀积第三金属层。第一金属层、第二金属层以及可选的第三金属层形成用于晶片的集成热沉。当晶片被切割成多个半导体装置时，每个半导体装置具有在其背面形成的集成热沉，包括第一金属层、第二金属层和可选的第三金属层。可选地，每个半导体装置通过焊球凸点或键合引线与引线框相连，以形成集成电路(IC)封装体。

主权项

1. 一种在集成电路装置的背面上形成集成热沉的晶片级方法，该方法包括：在包含很多集成电路芯片的晶片的背面上淀积第一金属层；在该第一金属层上淀积第二金属层；以及在淀积第一和第二金属层之后，将晶片切割成多个集成电路装置，以及其中对于多个集成电路装置的每个集成电路装置，第一金属层的一部分和第二金属层的一部分相结合，以形成与芯片集成形成的热沉。