[发明专利]半导体结构与芯片有效
申请号: | 200710138305.9 | 申请日: | 2007-07-27 |
公开(公告)号: | CN101261991A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 余振华;叶震南;傅竹韵;许育荣 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体结构与芯片,该半导体结构包括:第一与第二半导体条,从半导体衬底的上表面延伸进入半导体衬底;第一与第二绝缘区,位于半导体衬底中且围绕着第一与第二半导体条的底部,第一绝缘区的上表面低于第一半导体条的上表面、第二半导体条的高度高于第一半导体条、第二绝缘区的上表面低于第一绝缘区的上表面,且第一与第二绝缘区的厚度实质上相同。该芯片包括:第一与第二半导体条,位于半导体衬底中,它们的上表面与半导体衬底的上表面齐平;第一与第二绝缘区,包围第一与第二半导体条的底部,第二绝缘区自衬底上表面凹陷的深度比第一绝缘区凹陷的深度深。本发明可定制半导体鳍状物的鳍状物高度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 芯片 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体结构,包括:半导体衬底;第一半导体条,从该半导体衬底的上表面延伸进入该半导体衬底,其中该第一半导体条具有第一高度;第一绝缘区,位于该半导体衬底中且围绕着该第一半导体条的底部,其中该第一绝缘区具有低于该第一半导体条的上表面的第一上表面;第二半导体条,从该半导体衬底的上表面延伸进入该半导体衬底,其中该第二半导体条具有高于该第一半导体条的第一高度的第二高度;以及第二绝缘区,位于该半导体衬底中且围绕着该第二半导体条的底部,其中该第二绝缘区具有低于该第一绝缘区的第一上表面的第二上表面,且该第一与第二绝缘区的厚度实质上相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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