[发明专利]半导体处理用的成膜装置及其使用方法有效
| 申请号： | 200710139047.6 | 申请日： | 2007-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101144181A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 冈部庸之;加藤寿 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C23F1/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，在卤素酸性气体的气体供给源与流量控制器之间的上游气体流路内形成第一环境。设定上述第一环境，使上述卤素酸性气体的平均分子量为20～23。该使用方法从上述气体供给源，通过已形成上述第一环境的上述上游气体流路和上述流量控制器，供给上述卤素酸性气体，并将含有上述卤素酸性气体的清洁气体供给至上述成膜装置的反应室内。利用这样供给的上述清洁气体蚀刻并除去附着在上述反应室内面的副生成物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其特征在于，包括：在卤素酸性气体的气体供给源与流量控制器之间的上游气体流路内形成第一环境的工序，设定所述第一环境，使所述卤素酸性气体的平均分子量为20～23；从所述气体供给源，通过已形成所述第一环境的所述上游气体流路和所述流量控制器，供给所述卤素酸性气体，并将含有所述卤素酸性气体的清洁气体供给至所述成膜装置的反应室内的工序；和利用这样供给的所述清洁气体，蚀刻并除去附着在所述反应室内面的副生成物膜的工序。
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