[发明专利]半导体器件的掩模图案及其制造方法无效
| 申请号： | 200710139155.3 | 申请日： | 2007-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101109897A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李峻硕 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的掩模图案及其制造方法，包括多个相邻的主图案；以及在每个主图案的端部和中部的至少一个之上的辅助图案，所述辅助图案的线宽宽于主图案的线宽，其中所述辅助图案是交错的。本发明可避免具有精细线宽的部分掩模图案发生图案崩溃的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 图案 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的掩模图案，所述掩模图案包括：多个相邻的主图案；以及在每个主图案的端部和中部的至少一个之上的辅助图案，所述辅助图案的线宽宽于所述主图案的线宽，其中所述辅助图案是交错的。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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