[发明专利]一种IC片外延的工艺方法有效
| 申请号： | 200710139295.0 | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101165225A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 袁肇耿;赵丽霞;陈秉克 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 张明月 |
| 地址： | 050200河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IC片外延的工艺方法，它应用于双极和MOS IC(集成电路)的外延层的生长。本方法以三氯氢硅为硅源，二氧化硅为基片，生长炉内的压力为常压，其生产工艺过程为先对外延前的IC片进行表面处理、然后在生长炉中生长外延层，外延工艺采用的高温高流量外延工艺生长外延层，其工艺参数为：通入HCl抛光，HCl抛光温度为1190℃，HCl的流量为1升/分钟，抛光时间为1分钟；外延生长温度为1190℃，主氢流量为160升/分。本发明所提出的工艺方法，结合了常压和减压工艺的双重特点，不但能够减小IC图形片漂移和畸变，而且工艺简单，生产效率高，外延后表面状态好。同时减少设备备件的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ic 外延 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种IC片外延的工艺方法，本方法以三氯氢硅为硅源，二氧化硅为基片，生长炉内的压力为常压，其生产工艺过程为先对外延前的IC片进行表面处理、然后在生长炉中生长外延层，其特征在于：外延工艺采用的高温高流量外延工艺生长外延层，其工艺参数设定如下：通入HCl抛光，HCl抛光温度为1190℃，HCl的流量为1升/分钟，抛光时间为1分钟；外延生长温度为1190℃，主氢流量为160升/分。
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