[发明专利]一种硅MEMS压阻式加速度传感器有效
| 申请号： | 200710139407.2 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101118250A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 杨拥军;徐淑静;吕树海 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12;B81B7/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 张明月 |
| 地址： | 050051河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅MEMS压阻式加速度传感器，它属于微机械传感器领域。本发明包括硅框架、质量块、扭转梁、敏感梁和压敏电阻，在质量块的左右两侧设置有互相对称的、和硅框架连接的敏感梁，敏感梁上表面的端部制作有压敏电阻；在质量块的前后两侧设置有一对对称的、和硅框架连接的扭转梁，其垂直方向的高度大于敏感梁的高度。本发明所提供的压阻式加速度传感器，是一种利用制作在结构的上表面的压敏电阻来测量横向加速度信号的微传感器，可以避免使用在结构侧面制作压敏电阻的复杂工艺，降低了加工难度，提高了电阻的加工精度、一致性和成品率，并易于实现三轴集成。该传感器还具有体积小、质量轻、交叉耦合小、可靠性高、成本低和易于集成的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式 加速度 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种硅MEMS压阻式加速度传感器，包括硅框架、质量块、压敏电阻，其特征在于：质量块位于硅框架中并通过扭转梁、敏感梁与硅框架连接，敏感梁上制作有检测应力大小的压敏电阻。
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