[发明专利]半导体装置的制造方法和制造装置、计算机存储介质以及存储有处理方案的存储介质有效
| 申请号： | 200710139703.2 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101114589A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 丸山智久;出道仁彦;吹野康彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，在包括对金属膜进行湿式蚀刻的工序和随后对该金属膜进行干式蚀刻的工序的情况下，能够减轻因在湿式蚀刻工序中在金属膜上形成的变质层的残渣引起的对后续工序带来的恶性影响以及对设备特性带来的恶性影响，从而能够稳定地制造质量优良的半导体装置。对金属膜(106)进行湿式蚀刻之后，对n+a－Si膜(105)、a－Si膜(104)进行干式蚀刻。接着，对形成为台阶状的抗蚀剂掩模(107)进行灰化至途中，然后进行除去变质层(108)的变质层除去工序。此后，对金属膜(106)等进行干式蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 计算机 存储 介质 以及 处理 方案 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：在湿式蚀刻工序中对形成于基板上的金属膜进行蚀刻之后，具有对所述金属膜进行干式蚀刻的干式蚀刻工序，在所述干式蚀刻工序之前，进行除去在所述湿式蚀刻工序中在所述金属膜上形成的变质层的变质层除去工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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