[发明专利]研磨垫及其制造方法和研磨垫用缓冲层有效

专利信息
申请号: 200710139901.9 申请日: 2001-11-28
公开(公告)号: CN101134301A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 小野浩一;下村哲生;中森雅彦;山田孝敏;驹井茂;堤正幸 申请(专利权)人: 东洋橡膠工业株式会社
主分类号: B24D11/00 分类号: B24D11/00;C09K3/14;H01L21/304
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱丹
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种研磨垫,稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易,厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子;以及没有由个体差异的质量偏差,可容易改变加工图案,可进行微细加工,形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子;以及可对应各种被研磨材料,能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒,由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成,并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20~1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。
搜索关键词: 研磨 及其 制造 方法 缓冲
【主权项】:
1.一种研磨垫,具有在树脂中分散有磨粒的研磨层,其特征在于,所述树脂的主链是在总的羧酸成分中含有60摩尔%以上芳香族二羧酸的聚酯,并且所述树脂的侧链是含亲水性官能基的自由基聚合性单体的聚合物。
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