[发明专利]磊晶基板及液相磊晶生长方法有效
| 申请号： | 200710139910.8 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101118940A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 樋口晋;川崎真 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/00;H01L21/208;H01L21/22;C30B29/00;C30B19/00;C30B31/08 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种磊晶基板，是通过液相磊晶生长方法在基板上层积磊晶层而成的磊晶基板，其层积在上述基板上的磊晶层中的碳浓度轮廓，与基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的碳浓度的±50％的浓度轮廓交叉。由此，可以提供一种磊晶基板及液相磊晶生长方法，该磊晶基板具有被调整后的任意的碳浓度轮廓，而不是通过治具的自动掺杂所产生的固定的碳浓度轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 磊晶基板 液相磊晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磊晶基板，是通过液相磊晶生长方法在基板上层积磊晶层而成的磊晶基板，其特征在于：层积在上述基板上的磊晶层中的碳浓度轮廓，与基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的碳浓度的±50％的浓度轮廓交叉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体股份有限公司，未经信越半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710139910.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
