[发明专利]半导体处理用的热处理装置

摘要

本发明涉及一种半导体处理用的热处理装置，包括反应管，该反应管具有对以一定间隔层叠的多个被处理基板进行容纳的处理区域。气体供给管路一体地附设在上述反应管的壁的外侧上，在覆盖上述处理区域的范围内，沿上下方向延伸。在上述反应管的上述壁的侧部上形成多个气体喷出孔，该气体喷出孔在覆盖上述处理区域的范围内，沿上下方向排列，并且与上述气体供给管路连通。将处理气体供给上述处理区域的气体供给系统，经由上述气体供给管路和上述多个气体喷出孔与上述气体供给管路的底部连接。

主权项

1.一种半导体处理用的热处理装置，其特征在于，包括：反应管，具有对以一定间隔层叠的多个被处理基板进行容纳的处理区域；在所述处理区域内支承所述被处理基板的支承部件；排出所述处理区域内的气体的排气系统；加热所述处理区域内的所述被处理基板的加热器；一体地附设在所述反应管的壁的外侧、并沿上下方向延伸的气体供给管路；形成在所述反应管的所述壁上，并且与所述气体供给管路连通的气体放出开口；和与所述气体供给管路的底部连接，经由所述气体供给管路和所述气体放出开口，将处理气体供给所述处理区域的气体供给系统，所述反应管在底部具有搬入搬出所述支承部件的搬送口，并且具有包围所述搬送口与所述反应管一体地形成的凸缘，所述凸缘配置成与开闭所述搬送口的盖体接合，所述气体供给管路的底部由所述凸缘的上表面限定，在所述凸缘内形成将来自所述气体供给系统的所述处理气体导入所述气体供给管路中的气体流路。