[发明专利]等离子体处理装置用的载置台以及等离子体处理装置有效
申请号: | 200710140387.0 | 申请日: | 2007-08-10 |
公开(公告)号: | CN101123200A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 舆石公;桧森慎司;松山昇一郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/00;C23C16/458;C23C16/513;H01J37/32;H05H1/24 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及等离子体处理装置用的载置台及有该载置台的等离子体处理装置,其能提高等离子体中电场强度的面内均匀性,能对基板进行面内均匀性高的等离子体处理。等离子体处理装置(1)用的载置台(2)包括:兼作等离子体生成用等的下部电极(21)的导电体部件;电介体层(22),以覆盖导电体部件上面中央部的方式设置,用于使通过被处理基板(晶片W)向等离子体施加的高频电场均匀;和静电卡盘,层积在电介体层(22)上,以高频能够通过其间的方式埋设有在载置台径向上互相隔离并分割为多个的电极膜。电介体层(22)的外边缘位于分割的电极膜(23b、23d)的隔离区域(23c)内边缘的正下方或更靠外侧,分割的电极膜(23b、23d)相对于高频互相绝缘。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 载置台 以及 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置用的载置台,其用于在载置面上载置被处理基板,特征在于,包括:导电体部件,连接于高频电源,兼作为等离子体生成用或等离子体中的离子引入用的电极;电介体层,以覆盖该导电体部件的上面中央部的方式设置,用于使通过被处理基板向等离子体施加的高频电场均匀;和静电卡盘,层积在该电介体层上,以高频能够通过其间的方式埋设着在载置台的径向上互相隔离并分割为多个的电极膜,其中,所述电介体层的外边缘,位于被分割的电极膜间的隔离区域内部边缘的正下方或更靠外侧的位置,被分割的电极膜相对于高频相互绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造