[发明专利]等离子体处理装置用的载置台以及等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 200710140387.0 申请日: 2007-08-10
公开(公告)号: CN101123200A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: 舆石公;桧森慎司;松山昇一郎 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/67;H01L21/00;C23C16/458;C23C16/513;H01J37/32;H05H1/24
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及等离子体处理装置用的载置台及有该载置台的等离子体处理装置,其能提高等离子体中电场强度的面内均匀性,能对基板进行面内均匀性高的等离子体处理。等离子体处理装置(1)用的载置台(2)包括:兼作等离子体生成用等的下部电极(21)的导电体部件;电介体层(22),以覆盖导电体部件上面中央部的方式设置,用于使通过被处理基板(晶片W)向等离子体施加的高频电场均匀;和静电卡盘,层积在电介体层(22)上,以高频能够通过其间的方式埋设有在载置台径向上互相隔离并分割为多个的电极膜。电介体层(22)的外边缘位于分割的电极膜(23b、23d)的隔离区域(23c)内边缘的正下方或更靠外侧,分割的电极膜(23b、23d)相对于高频互相绝缘。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 载置台 以及
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置用的载置台,其用于在载置面上载置被处理基板,特征在于,包括:导电体部件,连接于高频电源,兼作为等离子体生成用或等离子体中的离子引入用的电极;电介体层,以覆盖该导电体部件的上面中央部的方式设置,用于使通过被处理基板向等离子体施加的高频电场均匀;和静电卡盘,层积在该电介体层上,以高频能够通过其间的方式埋设着在载置台的径向上互相隔离并分割为多个的电极膜,其中,所述电介体层的外边缘,位于被分割的电极膜间的隔离区域内部边缘的正下方或更靠外侧的位置,被分割的电极膜相对于高频相互绝缘。
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