[发明专利]修复光掩模图案缺陷的方法无效

专利信息
申请号: 200710140946.8 申请日: 2007-08-10
公开(公告)号: CN101154029A 公开(公告)日: 2008-04-02
发明(设计)人: 李相二 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云;许向华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种修复光掩模图案缺陷的方法,其包括:图案化透明衬底上的目标层,因此形成第一图案;通过检查第一图案来探测包括有缺陷的图案的有缺陷的管芯;在透明衬底上形成掩模层,通过在掩模层上进行曝光工艺和显影工艺形成选择性地暴露有缺陷的管芯的掩模图案;使用掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻暴露有缺陷的管芯的目标层以暴露透明衬底,在透明衬底的暴露的有缺陷的管芯上沉积目标层,并图案化沉积的目标层,因此在有缺陷的管芯上形成第二图案。
搜索关键词: 修复 光掩模 图案 缺陷 方法
【主权项】:
1.一种修复光掩模缺陷的方法,包括:在透明衬底上形成第一图案;通过检查所述第一图案来探测包括有缺陷的图案的有缺陷的管芯;在透明衬底上形成选择性地暴露所述有缺陷的管芯的掩模图案;使用所述掩模图案作为蚀刻掩模除去所述有缺陷的管芯的有缺陷的图案;在所述透明衬底的有缺陷的管芯上形成用于形成第二图案的材料层;除去所述掩模图案;以及通过图案化所述材料层在所述有缺陷的管芯上形成所述第二图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710140946.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top