[发明专利]浅沟槽隔离结构的保护方法及应用于其的保护层无效
| 申请号： | 200710141088.9 | 申请日： | 2007-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101369552A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王尧展;徐世杰;吴志强;林煌益;白启宏;陈琮文;施宏霖 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/00;H01L27/02;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚;彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的保护方法，适用于半导体元件工艺中，半导体元件工艺包括第一工艺与第二工艺，在第一工艺中于浅沟槽隔离结构表面形成凹陷，此保护方法包括在第二工艺中沿着凹陷轮廓在凹陷表面形成氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 保护 方法 应用于 保护层 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构的保护方法，适用于半导体元件工艺中，该半导体元件工艺包括第一工艺与第二工艺，在该第一工艺中在该浅沟槽隔离结构表面形成凹陷，该方法包括在该第二工艺中沿着该凹陷轮廓在该凹陷表面形成氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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