[发明专利]单次可编程存储器及其制造方法无效
申请号: | 200710141154.2 | 申请日: | 2007-08-13 |
公开(公告)号: | CN101369580A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 张格荥;张骕远 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种单次可编程存储器及其制造方法。单次可编程存储器包含了设置于基底上的存储单元,基底中具有阶梯状的开口,开口具有上层的阶部与下层的凹陷部。存储单元包含有浮置栅极、选择栅极、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。其中,浮置栅极设置于凹陷部侧壁,选择栅极设置于阶部侧壁,第一掺杂区设置于凹陷部底部的基底中,第二掺杂区设置于阶部底部的基底中,第三掺杂区则设置于阶部顶端的基底中。 | ||
搜索关键词: | 可编程 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种单次可编程存储器,包括:第一存储单元,设置于基底上,该基底中具有阶梯状的开口,该开口包括上层的阶部与下层的凹陷部,该第一存储单元包括:浮置栅极,设置于该凹陷部侧壁;选择栅极,设置于该阶部侧壁;第一掺杂区,设置于该凹陷部底部的该基底中;第二掺杂区,设置于该阶部底部的该基底中;以及第三掺杂区,设置于该阶部顶端的该基底中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶半导体股份有限公司,未经力晶半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710141154.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的