[发明专利]单次可编程存储器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710141154.2 申请日: 2007-08-13
公开(公告)号: CN101369580A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 张格荥;张骕远 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种单次可编程存储器及其制造方法。单次可编程存储器包含了设置于基底上的存储单元,基底中具有阶梯状的开口,开口具有上层的阶部与下层的凹陷部。存储单元包含有浮置栅极、选择栅极、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。其中,浮置栅极设置于凹陷部侧壁,选择栅极设置于阶部侧壁,第一掺杂区设置于凹陷部底部的基底中,第二掺杂区设置于阶部底部的基底中,第三掺杂区则设置于阶部顶端的基底中。
搜索关键词: 可编程 存储器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种单次可编程存储器,包括:第一存储单元,设置于基底上,该基底中具有阶梯状的开口,该开口包括上层的阶部与下层的凹陷部,该第一存储单元包括:浮置栅极,设置于该凹陷部侧壁;选择栅极,设置于该阶部侧壁;第一掺杂区,设置于该凹陷部底部的该基底中;第二掺杂区,设置于该阶部底部的该基底中;以及第三掺杂区,设置于该阶部顶端的该基底中。
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