[发明专利]单次可编程存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种单次可编程存储器及其制造方法。单次可编程存储器包含了设置于基底上的存储单元，基底中具有阶梯状的开口，开口具有上层的阶部与下层的凹陷部。存储单元包含有浮置栅极、选择栅极、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。其中，浮置栅极设置于凹陷部侧壁，选择栅极设置于阶部侧壁，第一掺杂区设置于凹陷部底部的基底中，第二掺杂区设置于阶部底部的基底中，第三掺杂区则设置于阶部顶端的基底中。

主权项

1.一种单次可编程存储器，包括：第一存储单元，设置于基底上，该基底中具有阶梯状的开口，该开口包括上层的阶部与下层的凹陷部，该第一存储单元包括：浮置栅极，设置于该凹陷部侧壁；选择栅极，设置于该阶部侧壁；第一掺杂区，设置于该凹陷部底部的该基底中；第二掺杂区，设置于该阶部底部的该基底中；以及第三掺杂区，设置于该阶部顶端的该基底中。