[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 200710141904.6 申请日: 2007-08-16
公开(公告)号: CN101149973A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 千田稔;濑户川润 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种半导体器件,包括:多个存储器单元,根据其阈值电压存储数据;多个位线,读取信号分别根据存储器单元存储的数据而出现在位线上;多个读出放大器,分别对应于位线布置,并且分别检测已出现在位线上的读取信号、并根据所检测的读取信号从第一和第二节点输出分别具有彼此不同逻辑电平的第一和第二信号;以及确定单元,根据分别从读出放大器的第一和第二节点接收的第一和第二信号来确定存储器单元的阈值电压是否正常。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:多个存储器单元,根据其阈值电压存储数据;多个位线,读取信号分别根据所述存储器单元存储的数据而出现在所述位线上;多个读出放大器,分别对应于所述位线而布置,并且所述读出放大器分别检测已出现在所述位线上的读取信号并根据所述检测的读取信号来从第一和第二节点输出分别具有彼此不同逻辑电平的第一和第二信号;以及确定单元,根据分别从所述读出放大器的所述第一和第二节点接受的第一和第二信号来确定所述存储器单元的阈值电压是否正常。
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