[发明专利]半导体激光装置及其制造方法

摘要

本发明公开一种使用氮化物半导体等六方晶体系的半导体材料且具有结构稳定的解理面的半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括衬底(11)及形成在该衬底上的半导体层层叠体(12)的一部分被切割而成的、具有与导波部(23a)相交叉方向上的两个芯片端面(13)和与该导波部平行方向上的两个芯片侧面(14)的芯片。在这两个芯片端面中的至少一个的解理面(13a)的两侧区域中芯片的一部分被切掉，分别形成有露出与该芯片端面接触的第一壁面(31a)及与该芯片侧面接触的第二壁面(31b)的缺口部(31)，这两个缺口部中的至少一个的上述第一壁面延伸的方向、与上述解理面延伸的方向所成的角度θ在10度以上且40度以下。

主权项

1.一种半导体激光装置，该半导体激光装置包括对衬底以及在该衬底之上形成的半导体层层叠体进行切割而形成的芯片，该半导体层层叠体是由包含条状的导波部、且利用具有六方晶体结构的半导体材料构成的半导体层层叠而成的，其特征在于：上述芯片具有与上述导波部交叉的方向上的两个芯片端面、和与上述导波部平行的方向上的两个芯片侧面，上述各个芯片端面中的包含上述导波部的区域是上述半导体层层叠体被解理的解理面，至少一个上述芯片端面中的上述导波部的两侧区域分别具有由于上述芯片的一部分被切掉而形成的缺口部，上述缺口部露出与上述芯片端面相接触的第一壁面以及与上述芯片侧面相接触的第二壁面，两个上述缺口部中的至少一个缺口部的上述第一壁面延伸的方向、与上述解理面延伸的方向之间所成的角度在10度以上且在40度以下。