[发明专利]用于形成接触孔的掩模无效
| 申请号： | 200710141970.3 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101126892A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 全永斗 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/00;H01L21/31;H01L21/768;G11C16/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及一种用于形成接触孔的掩模，在所述的掩模中，在用于形成接触孔的光刻处理中，用于形成接触孔的掩模图案被设计为其水平轴长度大于垂直轴长度，或者其垂直轴长度大于水平轴长度。在本发明实施例中，提供了一种用于制造掩模的方法，所述掩模具有用于形成接触孔的多个图案，其中根据待形成的接触孔之间的距离可以设计不同的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 接触 | ||
【主权项】：
1.一种掩模，包括：掩模图案，其被配置为用于形成接触孔，其中在形成所述接触孔的光刻处理中，该掩模图案被设计为其水平轴长度大于垂直轴长度，或者其垂直轴长度大于水平轴长度。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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