[发明专利]在还原气氛下固化介电膜无效
| 申请号： | 200710142193.4 | 申请日： | 2007-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101101876A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | S·J·韦格尔;M·L·奥尼尔;R·N·夫尔蒂斯;M·K·哈斯;E·J·小卡沃基 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;范赤 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成多孔介电膜的方法，该方法包括：在衬底的至少一部分上形成包括Si、C、O、H和Si-CH3基团的复合膜，其中所述复合膜包括至少一种含硅的结构形成材料和至少一种含碳的成孔材料；并将所述复合膜暴露于活化的化学物质，从而至少部分地改性所述含碳成孔材料，其中在暴露步骤后通过FTIR测定，在如此沉积的膜中至少90％的Si-CH3物质保留在所述膜中。 | ||
| 搜索关键词： | 还原 气氛 固化 介电膜 | ||
【主权项】：
1.一种形成多孔介电膜的方法，该方法包括：在衬底的至少一部分上形成包括Si、C、O、H和Si-CH3基团的复合膜，其中所述复合膜包括至少一种含硅的结构形成材料和至少一种含碳的成孔材料；和将所述复合膜暴露于活化的化学物质，从而至少部分地改性所述含碳成孔材料，其中在暴露步骤后通过FTIR测定，在如此沉积的膜中至少90％的Si-CH3 物质保留在所述膜中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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