[发明专利]相变存储器的感测电路及方法无效
| 申请号： | 200710142311.1 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101364424A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 林烈萩;许世玄;江培嘉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文;黄小临 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种相变存储器的感测电路，该感测电路包括一储存电容与一参考电容、一储存存储元件与一参考存储元件、一储存放电开关与一参考放电开关以及一判断装置，该储存电容与该参考电容的第一端分别通过一第一开关耦接至一预充电压，该储存存储元件与该参考存储元件的第一端分别通过一第二开关耦接至该储存电容与该参考电容的该第一端，该储存放电开关与该参考放电开关分别耦接至该储存存储元件与该参考存储元件的第二端，该判断装置耦接至该储存存储元件与该参考存储元件的该第一端，并提供一输出作为该储存存储元件存储状态的读取结果。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器的感测电路，包括：一储存电容与一参考电容，其第一端分别通过一第一开关耦接至一预充电压；一储存存储元件与一参考存储元件，其第一端分别通过一第二开关耦接至该储存电容与该参考电容的该第一端；一储存放电开关与一参考放电开关，分别耦接至该储存存储元件与该参考存储元件的第二端；以及一判断装置，耦接至该储存存储元件与该参考存储元件的该第一端，并提供一输出作为该储存存储元件存储状态的读取结果。
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