[发明专利]曝光制程、像素结构的制造方法及其使用的半调式光掩模有效
| 申请号： | 200710142320.0 | 申请日： | 2007-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101369095A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 洪国峰;张原豪 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半调式光掩模，适用于一曝光制程中，而形成尺寸均匀的多个光阻图案。此半调式光掩模包括透明基板、以及多个光掩模图案。这些光掩模图案是沿着一设定方向设置于透明基板上，其中，光掩模图案的尺寸是沿着设定方向而渐进变化。因此，即使在大尺寸基板上的不同区域存在曝光精度不相同的情形下，仍可利用渐进补偿方式制作尺寸均匀的光阻图案。另外，使用此半调式光掩模的曝光制程与像素结构的制造方法也被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 像素 结构 制造 方法 及其 使用 调式 光掩模 | ||
【主权项】：
1.一种半调式光掩模，适用于一曝光制程中，而形成尺寸均匀的多个光阻图案，其特征在于，该半调式光掩模包括：一透明基板；以及多个光掩模图案，沿着一设定方向设置于该透明基板上，其中，该些光掩模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司，未经中华映管股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710142320.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
