[发明专利]半导体装置的制造设备以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200710142495.1 | 申请日： | 2007-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101130218A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | B23K26/36 | 分类号： | B23K26/36;B23K26/06;B23K26/04;B23K26/40;H01L21/00;H01L21/268 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;张志醒 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在使用大面积衬底进行半导体装置的大量制造时，在制造工艺中不使用分档器的半导体装置的制造设备。通过光控制单元，具体地说电光装置，对形成在具有绝缘表面的衬底上的薄膜选择性地照射激光来产生烧蚀，以部分地去除该薄膜，将保留了的区域中的薄膜形成为所希望的形状。电光装置通过输入根据半导体装置的设计CAD数据的电信号而起到可变掩模的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 设备 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造设备，包括：发射激光束的光源单元；将所述激光束形成为矩形状和线状中的至少一方的光学系统；选择性地遮光控制所述具有矩形状和线状中的至少一方的激光束的光控制单元；以及将经过所述光控制单元的激光束扫描在被照射物的表面上的扫描单元，其中，经过所述光控制单元的激光束去除所述被照射物的照射区域。
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