[发明专利]三层抗蚀剂有机层蚀刻有效
| 申请号： | 200710142651.4 | 申请日： | 2007-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101131928A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | S·S·康;S·J·曹;T·蔡;T·韩 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;李丙林 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在多孔低－k介电层中形成双镶嵌特征的方法。在所述多孔低－k介电层中形成通孔。在所述多孔低－k介电层上形成一有机平面化层，其中，所述有机层填充所述通孔。在所述有机平面化层上形成一光致抗蚀剂掩模，在所述有机平面化层中蚀刻出特征，其包括提供含有CO2的蚀刻气体并将含有CO2的蚀刻气体形成等离子体，用它来蚀刻所述有机平面化层。使用所述有机平面化层作为掩模，在所述多孔低－k介电层中蚀刻出沟槽。剥离所述有机平面化层。 | ||
| 搜索关键词： | 三层 抗蚀剂 有机 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种在多孔低-k介电层中形成双镶嵌特征的方法，包括，在所述多孔低-k介电层中形成通孔；在所述多孔低-k介电层上形成一有机平面化层，其中所述有机层填充所述通孔；在所述有机平面化层上形成一光致抗蚀剂掩模；在所述有机平面化层中蚀刻出特征，其包括：提供一含CO2的蚀刻气体；以及由含CO2的蚀刻气体形成等离子体，用它来蚀刻所述有机平面化层；使用所述有机平面化层作为掩模在多孔低-k介电层中蚀刻出沟槽；和剥离所述有机平面化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
