[发明专利]CMOS图像感测元件的制作方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像感测元件的制作方法，该方法包含有：提供定义有传感器阵列区与周边区的基底、在该周边区形成至少一接触垫、形成覆盖该接触垫的第一介电层、进行第一蚀刻工艺，移除部分该第一介电层，以暴露出该接触垫并形成突起。在该周边区内形成光挡层，并形成多个彩色滤光片于该传感器阵列区内。最后，在这些彩色滤光片及该光挡层上形成平坦层，并在平坦层表面形成多个微透镜。

主权项

1.一种CMOS图像感测元件的制作方法，包含有:提供基底，该基底定义有传感器阵列区与周边区；形成至少一接触垫于该基底上的该周边区；形成第一介电层于该基底上，且该第一介电层覆盖该接触垫；进行第一蚀刻工艺，移除部分该第一介电层，以暴露出该接触垫以形成突起；在该周边区的该第一介电层上形成光挡层；形成多个彩色滤光片于该传感器阵列区的该第一介电层上；形成平坦层于这些彩色滤光片及该光挡层上；以及形成多个微透镜于该平坦层表面。