[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710142787.5 | 申请日： | 2007-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101131984A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 韩载元 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该高效的制造方法涉及分别单独制造具有晶体管层的第一衬底和具有金属线层的第二衬底，并叠置该第一和第二衬底。在该第一衬底上的晶体管通过连接电极与在该第二衬底上的金属线电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，该装置包含：第一半导体衬底，其包含晶体管层，其中该晶体管层包含至少一个晶体管；第二半导体衬底，其包含金属线层，其中该金属线层包含至少一条金属线；以及连接电极，其使得所述至少一个晶体管与所述至少一条金属线电连接。
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