[发明专利]一次性可编程存储器、存储电容器及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体存储器件技术领域，且特别涉及一种CMOS标准工艺兼容的一次性可编程存储器、存储电容器及其制造方法。本发明的一次性可编程存储器，其存储电容器是由MOS晶体管的漏极或源极接触孔与金属互连层之间增加一层电介质层构成。本发明的一次性可编程存储器、存储电容器及其制造方法，具有工艺上容易实施，存储器面积比现有发明小的优点。本发明的用于存储和编程的电容的电介质特性可以独立调节，十分方便电路设计和工艺实施。另外，本发明回避了现有技术可能出现的错误存储或者错误读出现象。

主权项

1.一种一次性可编程存储器，其特征在于包括一层硅衬底，在上述硅衬底表面形成场区，隔离MOS晶体管的P/N阱，MOS器件的栅介质层、多晶硅栅极层，临近上述多晶硅栅极的源极、漏极掺杂区，位于上述场区、MOS晶体管的源极、漏极掺杂区以及多晶硅栅极表面的第一电介质层，在上述第一电介层中形成的相互独立的第一和第二接触孔，上述第一接触孔引出MOS晶体管的漏极，上述第二接触孔引出MOS晶体管的源极，分别形成于上述第一和第二接触孔的第一和第二互连金属层；形成于上述第一接触孔和上述第一互连金属层之间或上述第二接触孔和上述第二互连金属层之间的第二电介质层。