[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710143735.X | 申请日： | 2007-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101118898A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 朱星中 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及半导体器件的制造方法。该半导体器件可包括：半导体衬底；层间介电层，形成于该半导体衬底上，具有镶嵌图案；扩散阻碍件，形成于镶嵌图案中，且由三价材料制成；籽晶层，形成于该扩散阻碍上；以及铜互连件，形成于该籽晶层上。在一个实施例中，该三价材料为CoFeB。本发明将非结晶层用作扩散阻碍件来避免铜的扩散，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；层间介电层，在该半导体衬底上，具有镶嵌图案；扩散阻碍件，形成于镶嵌图案中，包括三价材料；籽晶层，形成于在该扩散阻碍件上；以及铜互连件，形成于该籽晶层上。
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