[发明专利]用于执行系统缺陷分析的方法和设备有效

专利信息
申请号: 200710143765.0 申请日: 2007-08-02
公开(公告)号: CN101118571A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 瓦莱丽·D·莱纳;蒂莫西·S·莱纳 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 郭定辉;周少杰
地址: 美国纽*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于执行系统缺陷分析的方法和设备。基于使用沃尔什图案的布局形状的正交子空间投影的图案匹配系统,执行电路设备布局的初步密度特征提取,允许用户定义图案,以及执行布局的高分辨率搜索,以定位布局的全部实例。生成范围从最接近到数量上较不接近排列的布局窗的排序表。与现有技术相比,图案匹配系统显著地减少了错误的正量,并且使得相同的密度数据能够作为以小增量步进穿过布局的窗被重新使用。
搜索关键词: 用于 执行 系统 缺陷 分析 方法 设备
【主权项】:
1.一种将电路设计布局形状的正交投影提供在沃尔什图案的基上的方法,每个沃尔什图案由多个子窗组成,所述方法包括以下步骤:a)将沃尔什图案表示为编号W的第一向量的集合,{WP1,WP2,......WPW},形成每个所述沃尔什图案具有相应分量的基,编号R,WPi=(WPi 1,WPi 2,......,WPi R),所述分量WPi j(i在从1到W的范围内;并且j在从1到R范围内)为+x或-x,其中‘x’为实数,每个所述元素WPi j 对应于所述沃尔什图案的子窗;b)定义包括所述电路设计布局形状的布局窗,并且将所述电路设计布局窗子划分为R个具有与所述沃尔什图案的分辨率相同的子窗;c)计算每个电路设计布局子窗的密度,将所述密度映射到-x到+x的范围,并且从所述映射的密度形成具有维数R的第二向量A,其中A=(A1,A2,......AR);d)将所述映射的布局密度的第二向量A投影在所述W个沃尔什图案WPi 的每一个上;以及e)从所述投影形成W维的第三向量P,所述第三向量P是所述布局窗在所述沃尔什图案基上的正交投影。
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