[发明专利]磷化锗锌的多晶合成与单晶生长的方法

摘要

磷化锗锌的多晶合成与单晶生长的方法，它涉及磷化锗锌晶体的合成与生长的方法。本发明解决了目前磷化锗锌多晶的合成方法存在合成速率低的问题，磷化锗锌单晶的生长方法存在不易排出杂质的问题。本发明磷化锗锌多晶合成按如下步骤进行：1.定量；2.升温；即得到磷化锗锌多晶料。本发明磷化锗锌单晶原核生长按如下步骤进行：1.定量；2.升温；3.坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明磷化锗锌单晶有籽晶生长按如下步骤进行：1.定量；2.升温；3.坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明多晶的合成具有合成速率高的优点，单晶的生长具有易于排杂、晶体方向一致的优点。

主权项

1、磷化锗锌多晶的合成方法，其特征在于磷化锗锌的多晶合成的方法按如下步骤进行：一、选用纯度为99.999％以上的锌、锗、磷按摩尔比为1∶1∶2～2.005的比例定量，将反应物放入合成舟内，将合成舟置于石英管中抽真空密封，再将石英管放入水平合成炉中，使放置磷的合成舟位于水平合成炉的低温区，放置锌和锗的合成舟位于水平合成炉的高温区；二、升温使低温区温度为400～600℃，高温区温度为900～1080℃，保温3小时以上，再降温至室温；即得到磷化锗锌多晶料。