[发明专利]制造微晶硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710145385.0 | 申请日： | 2007-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101237006A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈麒麟;黄志仁 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/205;C23C16/24;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 包红健 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种在电浆辅助化学气相沉积(CVD)系统中制造半导体装置的方法，该系统包括处理室，其具有相互隔开的第一电极与第二电极，该方法包括：在该第二电极上提供基板，该基板包括暴露于该第一电极的表面；在该基板的该表面上制造半导体薄膜，并在该半导体薄膜的成核阶段期间将第一偏压施加于该第二电极上，直至达到该半导体薄膜的预定厚度；以及在达到该半导体薄膜的该预定厚度之后，将第二偏压施加于该第二电极上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 微晶硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在电浆辅助化学气相沉积系统中制造半导体装置的方法，该系统包含处理室，其具有相互隔开的第一电极与第二电极，该方法包含：在该第二电极上提供基板，该基板包含暴露于该第一电极的表面；在该基板的该表面上制造半导体薄膜并在该半导体薄膜的成核阶段期间将第一偏压施加于该第二电极上，直至达到该半导体薄膜的预定厚度为止；以及在达到该半导体薄膜的该预定厚度之后，将第二偏压施加于该第二电极上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
