[发明专利]监视NAND闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法无效
| 申请号： | 200710145635.0 | 申请日： | 2007-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101140804A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 沈根守 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李德山;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种监视NAND闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法。该方法通过对主单元施加第一编程电压来对主单元进行编程，然后测量主单元的阈值电压。该方法使用第二编程电压和第三编程电压对周边单元进行编程，然后测量周边单元的阈值电压。该方法测量由周边单元的所测量阈值电压所改变的主单元的阈值电压，然后通过使用主单元和周边单元的所测量阈值电压之间的干扰关联来预测周边单元的页的初始擦除阈值电压分布。 | ||
| 搜索关键词： | 监视 nand 存储 器件 中的 擦除 阈值 电压 分布 方法 | ||
【主权项】：
1.一种监视NAND闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法，该方法包括：擦除存储块；通过对主单元施加第一编程电压来测量所述主单元的阈值电压； 通过对周边单元施加第二编程电压来测量改变后的所述主单元的阈值电压和所述周边单元的阈值电压；通过对所述周边单元施加第三编程电压来测量所述主单元的阈值电压和所述周边单元的阈值电压；计算所述第二和第三编程电压与所述阈值电压之间的干扰关联；以及使用所述干扰关联来获得所述主单元和所述周边单元的擦除分布。
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