[发明专利]等离子蚀刻工艺的控制装置有效
| 申请号： | 200710145687.8 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101170052A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张世明;吕启纶 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/67;C23F4/00;H05H1/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种等离子蚀刻工艺的控制装置，包含能够改变等离子流动通道的尺寸、改变流经等离子流动通道的等离子的速度或改变流经等离子流动通道的等离子浓度的控制结构，或者是上述控制结构的组合。该等离子蚀刻工艺的控制装置，包含一等离子控制结构，其中该等离子控制结构定义出一等离子流动通道，并且能够选择性地改变该等离子流动通道的尺寸。本发明在等离子蚀刻工艺中，利用控制流往晶圆的等离子流的大小、速度、浓度或其组合，来产生理想的晶圆蚀刻结果，从而更加适于实用。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 蚀刻 工艺 控制 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子蚀刻工艺的控制装置，其特征在于包含一等离子控制结构，其中该等离子控制结构定义出一等离子流动通道，并且能够选择性地改变该等离子流动通道的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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