[发明专利]掩模刻蚀工艺

摘要

本发明提供了用于刻蚀沉积在衬底上诸如光刻掩模板的金属层的方法和装置。在一个技术方案中，提供了一种用于处理衬底的方法，该方法包括在处理腔室中定位具有沉积在透光材料上的光掩模层的衬底，将包括三氟甲烷(CHF₃)、六氟化硫(SF₆)、六氟乙烷(C₂F₆)或氨(NH₃)的至少其中之一，含氧气体、含氯气体以及可选的不含氯的卤素气体和/或惰性气体导入处理腔室中，在处理腔室中生成处理气体的等离子体，以及刻蚀沉积在衬底上的金属层的暴露部分。

主权项

1.一种用于处理光刻掩模板的方法，包括：将掩模板定位在处理腔室中的支撑构件上，其中所述掩模板包括形成在透光衬底上的金属光掩模层和沉积在所述金属光掩模层上的已构图的抗蚀剂材料；导入包括三氟甲烷(CHF3)、六氟化硫(SF6)、六氟乙烷(C2F6)或氨(NH3)的至少其中之一，含氧气体以及含氯气体的处理气体；将功率输送至所述处理腔室以产生由所述处理气体形成的等离子体；以及使用所述等离子体刻蚀所述金属光掩模层的暴露部分。