[发明专利]硅负极和包括该负极的锂离子二次电池及它们的制备方法有效
| 申请号： | 200710145809.3 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101373826A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 屈丽辉;吴声本;姜占峰 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M4/62;H01M4/38;H01M4/04;H01M10/40 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤桐;程荣逵 |
| 地址： | 518119广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 锂离子二次电池的硅负极，所述硅负极包括导电基体和涂覆于该导电基体表面的材料层，其中，所述材料层包括至少两个导电材料层和至少一个硅基材料层，导电材料层附着在导电基体上，并且所述硅基材料层和导电材料层间隔排列，硅基材料层位于两个导电材料层中间。采用本发明的硅负极制备得到的锂离子二次电池同时具有较高的体积比容量和良好的循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 包括 锂离子 二次 电池 它们 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锂离子二次电池的硅负极，所述硅负极包括导电基体和涂覆于该导电基体表面的材料层，其特征在于，所述材料层包括至少两个导电材料层和至少一个硅基材料层，导电材料层附着在导电基体上，并且所述硅基材料层和导电材料层间隔排列，硅基材料层位于两个导电材料层中间。
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