[发明专利]晶体管、存储单元阵列以及制造晶体管的方法无效
| 申请号： | 200710146079.9 | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101140950A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·冯·克卢格;斯特凡·特根 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/04;H01L27/108;H01L23/522;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了集成电路的一种晶体管，该晶体管包括：第一和第二源极/漏极区域；连接第一和第二源极/漏极区域的沟道区域；以及被构造成用于控制在所述沟道中流动的电流的栅电极。该栅电极被设置在限定于半导体衬底的顶表面中的栅极槽中。第一和第二源极/漏极区域至少延伸至深度d1，其中该深度d1是从衬底的顶表面测量的。栅电极的顶表面以距该顶表面小于深度d1的距离设在半导体衬底顶表面之下。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 存储 单元 阵列 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括晶体管的集成电路，所述晶体管包括：第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域形成在半导体衬底中并且相对于衬底的顶表面延伸至深度d1；沟道区域，所述沟道区域连接所述第一和第二源极/漏极区域；以及栅电极，所述栅电极设置在限定于所述第一与第二源极/漏极区域之间的顶表面中的栅极槽中；其中所述栅电极的顶表面位于所述顶表面与所述深度d1之间。
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