[发明专利]存储单元阵列以及形成该存储单元阵列的方法

摘要

本发明公开了一种具有多个存储单元的存储单元阵列。在一个实施例中，每个存储单元包括存储电容器和存取晶体管、多条定向于第一方向的位线、多条定向于第二方向的字线(第二方向垂直于第一方向)、具有表面的半导体衬底，多个有源区形成在半导体衬底中，每个有源区在第二方向上延伸，存储电容器部分地形成在有源区中且将相应的存储电容器连接于相应的位线，其中每个存取晶体管的栅电极连接于相应的字线，该存储电容器的电容器介电质具有大于8的介电常数，并且字线设置在位线的上方。

主权项

1.一种包括存储单元阵列的集成电路，包括：多个存储单元，每个所述存储单元包括存储电容器和存取晶体管；多条定向于第一方向的位线；多条定向于第二方向的字线，所述第二方向垂直于所述第一方向；具有表面的半导体衬底，多个有源区形成在所述半导体衬底中，每个有源区在所述第二方向上延伸；所述存取晶体管将所述存储电容器中的相对应存储电容器电耦接于相应的所述位线，其中：每个所述存取晶体管的栅电极连接于相应的字线，所述存储电容器的电容器介电质具有大于8的相对介电常数，所述字线设置在所述位线的上方。