[发明专利]集成存储单元阵列

摘要

本发明涉及一种集成存储单元阵列，其包括：半导体衬底；多个单元晶体管器件，其中，这些单元晶体管器件包括：形成在所述半导体衬底上的柱；围绕所述柱的栅沟槽；在所述柱上部区域形成的第一源极/漏极区；形成在所述栅极沟槽的底部并围绕所述柱的下部区域的栅极介电层；在所述栅极沟槽的所述栅极介电层上形成的栅极，其围绕所述柱的下部区域；以及形成在半导体衬底的上部区域并与所述栅极沟槽邻接的所述第二源极/漏极区；多条位线，被连接至所述单元晶体管器件的第一源极/漏极区的各自第一组；多条字线，连接第二组所述单元晶体管器件的各自的栅极；以及多个单元电容器器件，被连接至所述单元晶体管器件的第二源极/漏极区。

主权项

1.一种集成存储单元阵列，包括：半导体衬底；多个单元晶体管器件，沿所述衬底的多个平行的有源区条形成，所述有源区条在第一方向上延伸并且通过中间绝缘沟槽彼此在侧向绝缘；每一个所述单元晶体管器件包括：在所述半导体衬底中形成的柱；围绕所述柱的栅极沟槽；在所述柱的上部区域形成的第一源极/漏极区；在所述栅极沟槽的底部形成并围绕所述柱的下部区域的栅极介电层；在所述栅极沟槽的所述栅极介电层上形成的栅极，其围绕所述柱的下部区域，以及；所述半导体衬底的上部区域中形成的第二源极/漏极区，其与所述栅极沟槽邻接；多条平行的位线，在第二方向上延伸，并被连接至所述单元晶体管器件的各自的第一源极/漏极区；多条字线，在第三方向上延伸，并连接所述单元晶体管器件的各自栅极；以及多个单元电容器器件，被连接至所述单元晶体管器件的第二源极/漏极区。