[发明专利]用于制造键合晶片的方法有效
| 申请号： | 200710146439.5 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101118845A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 奥田秀彦;草场辰己 | 申请（专利权）人： | 株式会社SUMCO |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/304;H01L21/322;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张轶东;林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用于制造键合晶片的方法。通过包括以预定的深度位置将轻元素例如氢、氦或类似的离子注入到用于有源层的晶片中以形成离子注入层的步骤、通过绝缘膜将该元素的用于有源层的晶片键合至用于支撑衬底的晶片上的步骤、将在该离子注入层处的该晶片剥落的步骤、为了减少通过该剥落暴露的有源层表面上的损坏而进行牺牲氧化的第一热处理步骤和提高键合强度的第二热处理步骤的方法制造键合晶片，其中该第二热处理步骤是在该第一热处理步骤之后不移除在该有源层的表面上形成的氧化膜而连续地进行的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造键合晶片的方法，其包括以预定深度位置将轻元素例如氢、氦或类似的元素的离子注入到用于有源层的晶片中以形成离子注入层的步骤、通过绝缘膜将该用于有源层的晶片键合至用于支撑衬底的晶片上的步骤、将在该离子注入层处的该晶片剥落的步骤、为了减少通过该剥落而暴露的有源层表面上的损坏而进行牺牲氧化的第一热处理步骤和提高键合强度的第二热处理步骤，其中该第二热处理步骤是在该第一热处理步骤之后不移除在该有源层的表面上形成的氧化膜而连续地进行的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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