[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种能够稳定形成低电阻的硅化物膜的半导体装置的制造方法。首先，以在硅基板(11)表面上露出硅化物形成区域的状态，在基板上形成金属膜(17)。然后，在高于大气压的压力下，对形成有金属膜(17)的基板(11)进行热处理，使上述硅化物形成区域含有的硅与上述金属膜(17)反应，由此形成硅化物膜(18a、18b)。然后，在该热处理中，除去未反应的金属膜后，通过热处理发生结晶相转移，对基板上形成的硅化物膜(18a、18b)进行低电阻化处理。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，用于制造具有硅化物膜的半导体装置，其特征在于，包括：以在基板表面上露出硅化物形成区域的状态，在基板上形成金属膜的工序；通过在高于大气压的压力下的热处理，使所述硅化物形成区域含有的硅与所述金属膜反应，形成硅化物膜的工序；在所述热处理中，除去未反应的所述金属膜的工序；和通过热处理，使所述硅化物膜发生结晶相转移，进行低电阻化的工序。