[发明专利]非易失性的电可编程存储器有效

专利信息
申请号: 200710146845.1 申请日: 2007-08-24
公开(公告)号: CN101131871A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: R·米歇洛尼;R·拉瓦西奥 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司;海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/00 分类号: G11C16/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;陈景峻
地址: 意大利*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要: 发明涉及非易失性的电可编程存储器。提供一种固态大容量存储器件(105,100;400,415,420)。该固态大容量存储器件限定了适于存储数据的存储区域(100;415);该存储区域适合用于以第一存储密度以第一数据传送速度存储数据。该存储区域至少包括第一存储区域部分(120)和第二存储区域部分(130)。该固态大容量存储器件进一步包括存取装置(105;420;440),该装置适于利用第一存储区域部分以第二存储密度以第二数据传送速度存储数据,以及适于利用第二存储区域部分以第三存储密度和第三数据传送速度存储数据。第二存储密度低于第三存储密度,其又低于或等于第一存储密度;第二数据传送速度高于第三数据传送速度,其又高于或等于第一数据传送速度。
搜索关键词: 非易失性 可编程 存储器
【主权项】:
1.一种固态大容量存储器件(105,100;400,415,420),其限定了适合存储数据的存储区域(100;415),该存储区域适合用于以第一存储密度以第一数据传送速度来存储数据,该存储区域至少包括第一存储区域部分(120)和第二存储区域部分(130),该固态大容量存储器件进一步包括存取装置(105;420,440),该存取装置适合于利用第一存储区域部分来以第二存储密度以第二数据传送速度存储数据,并且适合于利用第二存储区域部分来以第三存储密度和第三数据传送速度存储数据,其中:第二存储密度低于第三存储密度,其又低于或等于第一存储密度;第二数据传送速度高于第三数据传送速度,其又高于或等于第一数据传送速度。
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