[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200710147133.1 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101226957A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 内藤慎哉;藤原英明;坛彻 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/43;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以抑制硅化反应进入到发射极层的半导体装置。该半导体装置(双极性晶体管100)，具备：扩散层(7)；硅化钴膜(9a)，其形成在扩散层(7)的表面上，由金属和半导体的金属半导体化合物构成；反应抑制层(8)，其形成在扩散层(7)和硅化钴膜(9a)之间，用于抑制从硅化钴膜(9a)扩散的金属的透过。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：发射极层；发射极电极，其形成在所述发射极层的表面上，且由金属和半导体的金属半导体化合物构成；第一反应抑制层，其形成在所述发射极层和所述发射极电极之间，用于抑制从所述发射极电极扩散的所述金属的透过。
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