[发明专利]半导体装置、降压斩波调节器及电子设备无效
申请号: | 200710147236.8 | 申请日: | 2007-08-30 |
公开(公告)号: | CN101136589A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 金森淳;和里田浩久;木村直正 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H02M3/10 | 分类号: | H02M3/10;H02M3/156 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种用于降压斩波调节器IC的自举电路包括:具有连接到恒压电路的输出端子的栅极和源极以及连接到引导电压的引线端子的漏极的LDMOS晶体管、以及执行对LDMOS晶体管的导通和截止控制的自举控制电路,以便在不需要昂贵的工艺的情况下支持高速振荡并实现具有宽输入电压范围的稳定的降压斩波动作。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 降压 调节器 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:串联连接在向其施加了输入电压的端子和输出电压的引线端子之间的第一开关元件;参考接地电压从所述输入电压生成期望的恒定电压的恒压电路;接收所述恒定电压并生成高于所述输出电压的引导电压的自举电路;生成用于执行对所述第一开关元件的导通和截止的控制的第一逻辑信号的第一逻辑生成电路;基于所述第一逻辑信号通过利用所述引导电压来执行对所述第一开关元件的导通和截止的控制的第一驱动电路,其中所述自举电路包括具有连接到所述恒压电路的输出端子的源极和连接到所述引导电压的引线端子的漏极的LDMOS晶体管,以及执行对所述LDMOS晶体管的导通和截止的控制的自举控制电路。
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