[发明专利]激光加工方法有效
| 申请号： | 200710147748.4 | 申请日： | 2001-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101136361A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 福世文嗣;福满宪志;山内直己;和久田敏光 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301;B23K26/00;B28D5/00;C03B33/00;C03B33/08;C03B33/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种激光加工方法，向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，从而在加工对象物的内部形成，沿着所述加工对象物的切割预定线延伸且延伸方向上的一端和另一端达到所述加工对象物的外缘的改质区域，以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物沿着所述切割预定线切断。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光加工方法，其特征在于：向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点(condensed point)并照射激光，从而在加工对象物的内部形成改质区域，该改质区域沿着所述加工对象物的切割预定线延伸并且在延伸方向上的一端和另一端达到所述加工对象物的外缘，以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物沿着所述切割预定线切断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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