[发明专利]激光加工方法、半导体材料基板的切断方法有效
| 申请号： | 200710147749.9 | 申请日： | 2001-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101134265A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 福世文嗣;福满宪志;山内直己;和久田敏光 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00;B23K26/38;B23K26/40;C03C23/00;C03B33/08;C03B33/09;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及激光加工方法和半导体材料基板的切断方法，其中该激光加工方法为，向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射脉冲激光，从而使在与所述加工对象物的厚度方向大致垂直的剖面中沿着所述加工对象物的所述切割预定线的方向的长度成为最大长度的改质点，沿着切割预定线在所述加工对象物的内部形成多个；利用多个所述改质点形成成为切断的起点的改质区域。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 加工 方法 半导体材料 切断 | ||
【主权项】：
1.一种激光加工方法，其特征在于：向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点(condensed point)并照射脉冲激光，从而使在与所述加工对象物的厚度方向大致垂直的剖面中沿着所述加工对象物的切割预定线的方向的长度成为最大长度的改质点，沿着切割预定线在所述加工对象物的内部形成多个；利用多个所述改质点形成成为切断的起点的改质区域。
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