[发明专利]制造半导体器件的方法、工具和装置无效
| 申请号： | 200710147771.3 | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101136350A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 西川恒一;清水正章;野中贤一;横山诚一;桥本英喜 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社;本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了制造半导体器件的方法、工具和装置。这种制造半导体器件的方法包括：通过使用接合度增加机构，增加作为加热件的基座和放置在该基座上的半导体基板之间的接合度，或通过使用传热增加机构，增加传递至放置在作为加热件的基座上的半导体基板的热量；以及通过加热所述基座将所述半导体基板加热到具有预定温度。所述接合度增加机构可以包括所述基座和以下其一：放置在所述半导体基板上的重石、放置在所述半导体基板上且与所述基座啮合的盖子，以及设置在所述基座与所述半导体基板之间的粘合层。所述传热增加机构可以包括所述基座和放置在所述半导体基板上且具备辐射光吸收能力的小片。所述基座能够支承呈堆叠形式的多个半导体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 工具 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：通过使用接合度增加机构，增加作为加热件的基座与放置在该基座上的半导体基板之间的接合度；以及通过加热所述基座将所述半导体基板加热到具有预定温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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