[发明专利]使用电感转换的磁随机存取存储器装置无效
| 申请号： | 200710147836.4 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101136451A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金恩植;鲜于国贤;李成喆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;邱玲 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种使用电感转换(CID)方法的磁存储器装置。所述使用CID方法的磁存储器装置包括：下部电极；磁阻结构，在下部电极上形成并包括两个边的宽度变化的自由层；以及上部电极，在磁阻结构上形成。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电感 转换 随机存取存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器装置，包括：磁阻结构，包括第一自由层，其中，第一自由层的两个边之间的距离在宽度方向上改变。
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