[发明专利]气化装置和半导体处理系统有效

专利信息
申请号: 200710147868.4 申请日: 2007-08-31
公开(公告)号: CN101135047A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 冈部庸之;大仓成幸 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C16/448 分类号: C23C16/448;H01L21/205;H01L21/365
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置,该装置包括:气化容器,规定上述气化装置的气化空间;喷射器,安装在上述气化容器中,使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内喷出;和加热器,安装在上述气化容器中,对喷出至上述气化空间内的上述液体原料进行加热。气化装置还包括:气体导出路,与上述气化容器连接,使由上述液体原料得到的生成气体从上述气化空间导出;过滤器,配置在上述气体导出路内或上述气体导出路与上述气化空间之间,捕捉上述生成气体中的雾;和红外线照射机构,向上述过滤器照射红外线。
搜索关键词: 气化 装置 半导体 处理 系统
【主权项】:
1.一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置,其特征在于,包括:气化容器,规定所述气化装置的气化空间;喷射器,安装在所述气化容器中,使所述液体原料呈雾状向所述气化空间内喷出;加热器,安装在所述气化容器中,对喷出至所述气化空间内的所述液体原料进行加热;气体导出路,与所述气化容器连接,使由所述液体原料得到的生成气体从所述气化空间导出;过滤器,配置在所述气体导出路内或所述气体导出路与所述气化空间之间,捕捉所述生成气体中的雾;和红外线照射机构,向所述过滤器照射红外线。
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