[发明专利]气化装置和半导体处理系统有效
申请号: | 200710147868.4 | 申请日: | 2007-08-31 |
公开(公告)号: | CN101135047A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 冈部庸之;大仓成幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;H01L21/205;H01L21/365 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置,该装置包括:气化容器,规定上述气化装置的气化空间;喷射器,安装在上述气化容器中,使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内喷出;和加热器,安装在上述气化容器中,对喷出至上述气化空间内的上述液体原料进行加热。气化装置还包括:气体导出路,与上述气化容器连接,使由上述液体原料得到的生成气体从上述气化空间导出;过滤器,配置在上述气体导出路内或上述气体导出路与上述气化空间之间,捕捉上述生成气体中的雾;和红外线照射机构,向上述过滤器照射红外线。 | ||
搜索关键词: | 气化 装置 半导体 处理 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置,其特征在于,包括:气化容器,规定所述气化装置的气化空间;喷射器,安装在所述气化容器中,使所述液体原料呈雾状向所述气化空间内喷出;加热器,安装在所述气化容器中,对喷出至所述气化空间内的所述液体原料进行加热;气体导出路,与所述气化容器连接,使由所述液体原料得到的生成气体从所述气化空间导出;过滤器,配置在所述气体导出路内或所述气体导出路与所述气化空间之间,捕捉所述生成气体中的雾;和红外线照射机构,向所述过滤器照射红外线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710147868.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的